江蘇鵬舉半導體全自主研發的原子層刻蝕設備（ALE），具有成熟的真空解決方案及射頻系統，基于Windows平臺自主開發的操作系統，架構合理，人機交互界面多種自動流程設計，操作簡單便捷。設備具有占用空間小，耗材及運營成本低等優點。此腔體擴展性高，兼容性高，可用于多種材質，多種介質刻蝕，可媲美國際先進水平，實現國產替代。
一、設備參數
|
參數類別 |
具體參數 |
指標范圍 |
|
刻蝕精度 |
單循環刻蝕速率 |
0.1–0.7 nm/cycle（通用）；Al?O?: 0.2–0.5 nm/cycle；GaN: 0.1–0.3 nm/cycle |
|
等效刻蝕速率 |
>1 nm/min（通用）；Al?O?: >1.2 nm/min；GaN: 0.8–1.0 nm/min |
|
|
表面粗糙度 |
<0.5 nm |
|
|
均勻性 |
晶圓內均勻性（300mm） |
±2%；；Al?O?/SiO?刻蝕±1.8% |
|
片間均勻性 |
±1.5%；GaN刻蝕±1.2% |
|
|
選擇比 |
Al?O?/Si |
>60:1 |
|
GaN/AlGaN |
>30:1（精準停刻控制） |
二、工藝控制參數
|
控制模塊 |
關鍵參數 |
可調范圍 |
控制精度 |
|
反應腔環境 |
腔室壓力 |
1–50 mTorr（P-ALE）；PEALD刻GaN專用：0.5–5 mTorr |
±0.1 Torr |
|
腔室溫度 |
25–200°C； |
±1°C |
|
|
前驅體與脈沖 |
前驅體流量 |
100–500 sccm； |
±5 sccm |
|
脈沖時間 |
0.1–5 s； |
±10 ms |
|
|
吹掃時間 |
1–10 s； |
±50 ms |
|
|
等離子體 |
源功率 |
1–3000 W； |
±10 W |
|
離子能量 |
50–500 eV； |
±2 eV |
|
|
循環控制 |
循環數 |
1–1000 cycles； |
1 cycle步進 |
三、設備核心配置
反應腔：300mm兼容，Al?O?/Y?O?耐腐蝕內襯，多區溫控
前驅體系統：多路脈沖閥，漏率<1×10?? atm·cc/s；支持Cl?、BCl?、CHF?等PEALD專用刻蝕氣體精準配送
等離子體源：ICP/RIE類型，離子能量0–1000 eV可調；具有PEALD專屬低功率調節檔位（100–500 W）適配GaN刻蝕
真空系統：分子泵+干泵，極限真空<1×10?? Torr；
微信公眾號
江蘇鵬舉半導體設備技術有限公司 蘇ICP備2021019173號-1